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低壓MOSFET

產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	20V/5A 雙溝道 N MOS MH9926	20V/5A 雙溝道 N MOS MH9926采用高單元密度的DMOS溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。20V/5A 雙溝道 N MOS MH9926適用于低壓應(yīng)用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。
	20V 5.4A N MOS管 MH2306	20V 5.4A N MOS MH2306采用**的加工技術(shù)使之具備極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元。適合大功率、大電流及鋰電設(shè)備應(yīng)用。ID電流可高達：5.4A
	高性價！20V 2.8A N MOS管 MH2302	高性價！20V 2.8A N MOS管MH2302采用**的加工技術(shù)使之具備極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元。適合大功率、大電流及鋰電設(shè)備應(yīng)用。
	高性價！20V P 溝道MOS 管 MH2301	高性價！20V P 溝道MOS 管MH2301采用**的加工技術(shù)使之具備極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元。適合大功率、大電流及鋰電設(shè)備、電子開關(guān)等應(yīng)用。
	低價！20V N-溝道增強型MOS MH2300	低價！20V N-溝道增強型MOS MH2300采用**的加工技術(shù)使之具備極低的導(dǎo)通電阻高密度的單元。適合大功率、大電流及鋰電設(shè)備應(yīng)用。
	低導(dǎo)通電阻！30V 5.8A N溝道MOS管 MH2310X	低導(dǎo)通電阻！30V 5.8A N溝道MOS管2310X系列N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管，采用DMOS溝道技術(shù)制造具極高的單元密度。采用該技術(shù)的MOS管特別適用于*大限度地減少MOS管通態(tài)電阻。同時該MOS管也特別適合低電壓應(yīng)用，低功耗及小封裝尺寸等要求。

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